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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 600MA TS-1

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 600 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
9pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ts-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
15 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
T-18, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
600 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
UG06
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 600 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
9pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ts-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
15 ns
Mfr:
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Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
600 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
UG06
UG06A
Diodo 50 V 600 mA através do orifício TS-1

Tags:

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