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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N5190

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 9 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/424
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
400 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5190
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 9 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/424
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
400 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5190
JANTX1N5190
Diodo 600 V 3A através do buraco B, axial