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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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VS-20ETS12THM3

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Descrição: DIODE GEN PURP 1,2KV 20A TO220AC

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
20ETS12
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
20ETS12
VS-20ETS12THM3
Diodo 1200 V 20A através do buraco TO-220AC