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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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VS-80EBU02

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 80A POWIRTAB

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.13 V @ 80 A
Pacote:
BULK
Série:
FRED Pt®
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PowIRtabTM
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
PowerTabTM, PowIRtabTM
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
80A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
80EBU02
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.13 V @ 80 A
Pacote:
BULK
Série:
FRED Pt®
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PowIRtabTM
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
PowerTabTM, PowIRtabTM
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
80A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
80EBU02
VS-80EBU02
Diodo 200 V 80A Montar do chassi PowIRtabTM