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Descrição: DIODE GEN PURP 125V 500MA DO35

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 nA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 200 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
8pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
µs 1
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
500 mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BAY73
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 nA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 200 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
8pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
µs 1
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
500 mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BAY73
BAY73
Diodo 125 V 500 mA através do buraco DO-35

Tags:

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