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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1t6g

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Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ts-1
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
T-18, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1t6g
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ts-1
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
T-18, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1t6g
1t6g
Diodo 800 V 1A através do buraco TS-1