logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
produtos
produtos
Casa > produtos > Componentes eletrônicos CI > VS-10ETS12FP-M3

VS-10ETS12FP-M3

Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP

Obtenha o melhor preço
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Bloco TO-220-2 completo
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-2 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
10ETS12
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Bloco TO-220-2 completo
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-2 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
10ETS12
VS-10ETS12FP-M3
Diodo 1200 V 10A através do buraco TO-220-2