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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A R-1

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
R-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
500 ns
Mfr:
Soluções de diodos SMC
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
R-1, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
-
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Tempo de recuperação inverso (trr):
500 ns
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-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
-
1F7
Diodo 1000 V 1A através do buraco R-1

Tags:

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