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IDT10S60C
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
140 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Pacote:
BULK
Série:
ThinQ!TM
Capacidade @ Vr, F:
480pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A (C.C.)
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
140 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Pacote:
BULK
Série:
ThinQ!TM
Capacidade @ Vr, F:
480pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
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-55°C ~ 175°C
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A (C.C.)
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
IDT10S60C
Diodo 600 V 10 A (DC) através do buraco PG-TO220-2-2

Tags:

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