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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GI850/MR850

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Descrição: DIODO GENÉRICO 50V 3A DO201AD

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.25 V @ 3 A
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
28pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-201AD
Tempo de recuperação inverso (trr):
200 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-50°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AD, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.25 V @ 3 A
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
28pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-201AD
Tempo de recuperação inverso (trr):
200 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-50°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AD, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
GI850/MR850
Diodo 50 V 3A através do buraco DO-201AD