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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5811

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Descrição: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 150 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
875 mV @ 4 A
Pacote:
Caixa
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Estado Sólido Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
150 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 150 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
875 mV @ 4 A
Pacote:
Caixa
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Estado Sólido Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
150 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5811
Diodo 150 V 6A através do eixo do buraco