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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SCS306APC9

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Descrição: Diodo de carburo de silício 650V 6A

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
30 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,5 V @ 6 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
300 pF @ 1V, 1MHz
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SCS306
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
30 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,5 V @ 6 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
300 pF @ 1V, 1MHz
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SCS306
SCS306APC9
Diodo 650 V 6A através do buraco