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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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NRVBM2H100T3G

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Descrição: DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
680 mV @ 2 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
POWERMITE®
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PowerMITE
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-216AA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
NRVBM2
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
680 mV @ 2 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
POWERMITE®
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PowerMITE
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-216AA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
NRVBM2
NRVBM2H100T3G
Diodo 100 V 2A Powermite montado na superfície