Detalhes do produto
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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | Estatuto do produto: | Atividade | Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 500 nA @ 80 V | Tipo de Montagem: | Montagem de superfície | Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1,25 V @ 150 mA | Pacote: | Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel® | Série: | - | Capacidade @ Vr, F: | 1.5pF @ 0V, 1MHz | Pacote de dispositivos do fornecedor: | X1-DFN1006-2 | Tempo de recuperação inverso (trr): | 4 ns | Mfr: | Diodos incorporados | Tecnologia: | Padrão | Temperatura de funcionamento - Junção: | -65°C ~ 150°C | Embalagem / Caixa: | 0402 (métrica 1006) | Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 100 V | Corrente - média rectificada (Io): | 215 mA | Velocidade: | Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) | Número do produto de base: | BAS16 | 
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | 
| Estatuto do produto: | Atividade | 
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 500 nA @ 80 V | 
| Tipo de Montagem: | Montagem de superfície | 
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1,25 V @ 150 mA | 
| Pacote: | Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel® | 
| Série: | - | 
| Capacidade @ Vr, F: | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 
| Pacote de dispositivos do fornecedor: | X1-DFN1006-2 | 
| Tempo de recuperação inverso (trr): | 4 ns | 
| Mfr: | Diodos incorporados | 
| Tecnologia: | Padrão | 
| Temperatura de funcionamento - Junção: | -65°C ~ 150°C | 
| Embalagem / Caixa: | 0402 (métrica 1006) | 
| Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 100 V | 
| Corrente - média rectificada (Io): | 215 mA | 
| Velocidade: | Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) | 
| Número do produto de base: | BAS16 |