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IDW40E65D2FKSA1

IDW40E65D2FKSA1

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Descrição: DIODO GP 650V 80A TO247-3-1

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.3 V @ 40 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO247-3-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
75 ns
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
80A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
IDW40E65
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.3 V @ 40 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO247-3-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
75 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
80A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
IDW40E65
IDW40E65D2FKSA1
Diodo 650 V 80A através do buraco PG-TO247-3-1

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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