Detalhes do produto
Termos do pagamento & do transporte
Descrição: Módulo de diodo 80V 250A 2 torres
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Equipamento de diodos |
Estatuto do produto: |
Obsoletos |
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo): |
250A |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-55°C ~ 150°C |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
880 mV @ 250 A |
Pacote: |
BULK |
Série: |
- |
Configuração do diodo: |
1 par de ânodos comuns |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
Torre Gêmea |
Mfr: |
Semicondutor GeneSiC |
Tecnologia: |
Schottky, polaridade inversa. |
Embalagem / Caixa: |
Torre Gêmea |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
80 V |
Tipo de Montagem: |
Montura do chassi |
Velocidade: |
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
1 mA @ 20 V |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Equipamento de diodos |
Estatuto do produto: |
Obsoletos |
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo): |
250A |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-55°C ~ 150°C |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
880 mV @ 250 A |
Pacote: |
BULK |
Série: |
- |
Configuração do diodo: |
1 par de ânodos comuns |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
Torre Gêmea |
Mfr: |
Semicondutor GeneSiC |
Tecnologia: |
Schottky, polaridade inversa. |
Embalagem / Caixa: |
Torre Gêmea |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
80 V |
Tipo de Montagem: |
Montura do chassi |
Velocidade: |
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
1 mA @ 20 V |