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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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EGP51G-E3/C

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Descrição: DIODO GEN PURP 400V 5A DO201AD

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 400 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.25 V @ 5 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
SUPERECTIFIER®
Capacidade @ Vr, F:
48pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-201AD
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AD, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
400 V
Corrente - média rectificada (Io):
5A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
EGP51
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 400 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.25 V @ 5 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
SUPERECTIFIER®
Capacidade @ Vr, F:
48pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-201AD
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AD, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
400 V
Corrente - média rectificada (Io):
5A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
EGP51
EGP51G-E3/C
Diodo 400 V 5A através do buraco DO-201AD