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IDK10G120C5XTMA1

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Descrição: DIODO SIC 1.2KV 31.9A TO263-1

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
18 µA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
525 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO263-2-1
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
31.9A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDK10G120
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
18 µA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
525 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO263-2-1
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
31.9A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDK10G120
IDK10G120C5XTMA1
Diodo 1200 V 31.9A Montador de superfície PG-TO263-2-1