logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
produtos
produtos
Casa > produtos > Componentes eletrônicos CI > IDP15E65D1XKSA1

IDP15E65D1XKSA1

Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 650V 15A TO220-2

Obtenha o melhor preço
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 15 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
114 ns
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
15A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
IDP15E65
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 15 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
114 ns
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
15A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
IDP15E65
IDP15E65D1XKSA1
Diodo 650 V 15A através do buraco TO-220-2