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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4531.143

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Descrição: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO34

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 nA @ 20 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 10 miliampères
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-34
Tempo de recuperação inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Nexperia EUA Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
200°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AG, DO-34, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
75 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1N4531
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 nA @ 20 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 10 miliampères
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-34
Tempo de recuperação inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Nexperia EUA Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
200°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AG, DO-34, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
75 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1N4531
1N4531.143
Diodo 75 V 200 mA através do buraco DO-34