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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N645-1

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Descrição: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 nA @ 225 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 400 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
225 V
Corrente - média rectificada (Io):
400 mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N645
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 nA @ 225 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 400 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
225 V
Corrente - média rectificada (Io):
400 mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N645
1N645-1
Diodo 225 V 400mA através do buraco DO-35