Detalhes do produto
Termos do pagamento & do transporte
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 1A S-FLAT
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
10 μA @ 200 V |
Tipo de Montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
980 mV @ 1 A |
Pacote: |
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel® |
Série: |
- |
Capacidade @ Vr, F: |
- |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
S-FLAT (1.6x3.5) |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
35 ns |
Mfr: |
Toshiba Semicondutores e Armazenamento |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-40°C ~ 150°C |
Embalagem / Caixa: |
SOD-123F |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
200 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
1A |
Velocidade: |
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número do produto de base: |
CRH01 |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
10 μA @ 200 V |
Tipo de Montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
980 mV @ 1 A |
Pacote: |
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel® |
Série: |
- |
Capacidade @ Vr, F: |
- |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
S-FLAT (1.6x3.5) |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
35 ns |
Mfr: |
Toshiba Semicondutores e Armazenamento |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-40°C ~ 150°C |
Embalagem / Caixa: |
SOD-123F |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
200 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
1A |
Velocidade: |
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número do produto de base: |
CRH01 |