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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RFN10NS8DTL

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Descrição: DIODE GEN PURP 800V 10A LPDS

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.1 V @ 5 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
LPDS
Tempo de recuperação inverso (trr):
40 ns
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
RFN10
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.1 V @ 5 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
LPDS
Tempo de recuperação inverso (trr):
40 ns
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
RFN10
RFN10NS8DTL
Diodo 800 V 10A de montagem de superfície LPDS