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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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FESB16HT-E3/81

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Descrição: DIODE GEN PURP 500V 16A a 263AB

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 500 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 16 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
145 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
500 V
Corrente - média rectificada (Io):
16A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
FESB16
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 500 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 16 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
145 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
500 V
Corrente - média rectificada (Io):
16A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
FESB16
FESB16HT-E3/81
Diodo 500 V 16A montado na superfície TO-263AB (D2PAK)