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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1ss133m r0g

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Descrição: DIODE GEN PURP 90V 150MA DO34

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 80 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 150 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-34
Tempo de recuperação inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AG, DO-34, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
90 V
Corrente - média rectificada (Io):
150 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1SS133
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 80 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 150 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-34
Tempo de recuperação inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AG, DO-34, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
90 V
Corrente - média rectificada (Io):
150 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1SS133
1ss133m r0g
Diodo 90 V 150 mA através do buraco DO-34