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IDH20G65C5XKSA2
IDH20G65C5XKSA2

IDH20G65C5XKSA2

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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
210 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
590pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDH20G65
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
210 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
590pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDH20G65
IDH20G65C5XKSA2
Diodo 650 V 20A através do buraco PG-TO220-2-1

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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