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IDH04SG60CXKSA2

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Descrição: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-1

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.3 V @ 4 A
Pacote:
Tubos
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
80pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDH04SG60
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.3 V @ 4 A
Pacote:
Tubos
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
80pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDH04SG60
IDH04SG60CXKSA2
Diodo 600 V 4A através do buraco PG-TO220-2-1