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TRS4E65F, S1Q
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Descrição: DIODO SIC CARB 650V 4A TO220-2L

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 4 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
16pF @ 650V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220-2L
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
TRS4E65
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 4 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
16pF @ 650V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220-2L
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
TRS4E65
TRS4E65F, S1Q
Diodo 650 V 4A através do buraco TO-220-2L

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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