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JANS1N5809
JANS1N5809

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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
875 mV @ 4 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/477
Capacidade @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5809
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
875 mV @ 4 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/477
Capacidade @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
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Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5809
JANS1N5809
Diodo 100 V 3A através do buraco B, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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