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1N5183E3
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Descrição: DIODE GP 7.5KV 100MA S AXIAL

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
10 V @ 100 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
S, axial
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
S, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
7500 V
Corrente - média rectificada (Io):
100 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
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7500 V
Corrente - média rectificada (Io):
100 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
1N5183E3
Diodo 7500 V 100 mA através do buraco S, axial

Tags:

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