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G4S06530BT
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Descrição: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 3-PI

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
39A (CC)
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 15 A
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AB
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologia Global de Energia - GPT
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 650 V
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
39A (CC)
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 15 A
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AB
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
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Tecnologia:
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Embalagem / Caixa:
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Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 650 V
G4S06530BT
Diodo Array 1 Par Cátodo Comum 650 V 39A (DC) Through Hole TO-247-3

Tags:

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