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G3S12004B
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Descrição: DIODO SCHOTTKY SIC 1200V 4A 3-PI

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
8.5A (DC)
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 2 A
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AB
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologia Global de Energia - GPT
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
8.5A (DC)
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 2 A
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
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Tecnologia:
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Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 1200 V
G3S12004B
Diodo 1 par Cátodo comum 1200 V 8.5A (DC) através do buraco TO-247-3

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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