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Descrição: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 torre

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
200A
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.6 V @ 200 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A Torre Três
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
A Torre Três
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 1200 V
Categoria:
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Temperatura de funcionamento - Junção:
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Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 1200 V
Murta400120
Diodo 1 par Cátodo comum 1200 V 200 A Chassis Mount Three Tower

Tags:

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