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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MBR120100CT

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Descrição: Módulo de diodo 100 V 120 A 2 torres

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
120A (DC)
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
840 mV @ 60 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Configuração do diodo:
1 par de ânodos comuns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Torre Gêmea
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Schottky
Embalagem / Caixa:
Torre Gêmea
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
3 mA @ 20 V
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MBR120100
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
120A (DC)
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
840 mV @ 60 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Configuração do diodo:
1 par de ânodos comuns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Torre Gêmea
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Schottky
Embalagem / Caixa:
Torre Gêmea
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
3 mA @ 20 V
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MBR120100
MBR120100CT
Diodo 1 par Anodo comum 100 V 120 A (DC) Chassis Mount Twin Tower