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MURT10060R
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Descrição: Diodo ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
50A
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 100 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Configuração do diodo:
1 par de ânodos comuns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A Torre Três
Tempo de recuperação inverso (trr):
75 ns
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Polaridade inversa padrão
Embalagem / Caixa:
A Torre Três
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MURT10060
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 50 V
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
50A
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 100 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Configuração do diodo:
1 par de ânodos comuns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A Torre Três
Tempo de recuperação inverso (trr):
75 ns
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Polaridade inversa padrão
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MURT10060
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 50 V
MURT10060R
Diodo 1 par Anodo comum 600 V 50A Chassis Mount Three Tower

Tags:

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