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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

HS3F

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Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 300 V
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
80pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-214AB (SMC)
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
DO-214AB, SMC
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
300 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
HS3F
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 300 V
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
80pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-214AB (SMC)
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
DO-214AB, SMC
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
300 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
HS3F
HS3F
Diodo de 300 V 3A montado na superfície DO-214AB (SMC)