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PCDP20120G1_T0_00001
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
180 µA @ 1200 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.7 V @ 20 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
1040pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:
TO-220AC
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
Panjit International Inc.
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
1200 V
Current - Average Rectified (Io):
20A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
PCDP20120
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
180 µA @ 1200 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.7 V @ 20 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
1040pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:
TO-220AC
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
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Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
1200 V
Current - Average Rectified (Io):
20A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
PCDP20120
PCDP20120G1_T0_00001
Diodo 1200 V 20A através do buraco TO-220AC

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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