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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SICB20120Y-TP

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Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,55 V @ 20 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
1552 pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D2PAK
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SICB20120
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,55 V @ 20 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
1552 pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D2PAK
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SICB20120
SICB20120Y-TP
Diodo 1200 V 20A Montador de superfície D2PAK