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WND10P08YQ
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Descrição: DIODE GP 800V 10A IITO220-2

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
IITO-220-2
Mfr:
Semicondutores de WeEn
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
WND10
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Mfr:
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Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
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Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
WND10
WND10P08YQ
Diodo 800 V 10A através do buraco IITO-220-2

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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