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SE30PADHM3/I
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221BC

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.16 V @ 3 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Automotivo, AEC-Q101, eSMP®
Capacidade @ Vr, F:
13pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-221BC (SMPA)
Tempo de recuperação inverso (trr):
1,3 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-221BC, SMA Pads expostos de chumbo plano
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SE30
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.16 V @ 3 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Automotivo, AEC-Q101, eSMP®
Capacidade @ Vr, F:
13pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-221BC (SMPA)
Tempo de recuperação inverso (trr):
1,3 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-221BC, SMA Pads expostos de chumbo plano
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SE30
SE30PADHM3/I
Diodo 200 V 3A montado na superfície DO-221BC (SMPA)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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