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IDP30E120XKSA1
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IDP30E120XKSA1

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Descrição: DIODO GP 1.2KV 50A TO220-2-2

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.15 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
243 ns
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
50A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
IDP30E120
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.15 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
243 ns
Mfr:
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Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
50A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
IDP30E120
IDP30E120XKSA1
Diodo 1200 V 50A através do buraco PG-TO220-2-2

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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