Detalhes do produto
Termos do pagamento & do transporte
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A F1A
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | Estatuto do produto: | Atividade | Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 5 μA @ 1000 V | Tipo de Montagem: | Montagem de superfície | Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.1 V @ 1 A | Pacote: | Tape & Reel (TR) | Série: | FS | Capacidade @ Vr, F: | 7.6pF @ 4V, 1MHz | Pacote de dispositivos do fornecedor: | F1A (DO219AA) | Tempo de recuperação inverso (trr): | 1.6 μs | Mfr: | Diodos incorporados | Tecnologia: | Padrão | Temperatura de funcionamento - Junção: | -55°C ~ 150°C | Embalagem / Caixa: | DO-219AA | Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 1000 V | Corrente - média rectificada (Io): | 1A | Velocidade: | Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io) | 
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | 
| Estatuto do produto: | Atividade | 
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 5 μA @ 1000 V | 
| Tipo de Montagem: | Montagem de superfície | 
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.1 V @ 1 A | 
| Pacote: | Tape & Reel (TR) | 
| Série: | FS | 
| Capacidade @ Vr, F: | 7.6pF @ 4V, 1MHz | 
| Pacote de dispositivos do fornecedor: | F1A (DO219AA) | 
| Tempo de recuperação inverso (trr): | 1.6 μs | 
| Mfr: | Diodos incorporados | 
| Tecnologia: | Padrão | 
| Temperatura de funcionamento - Junção: | -55°C ~ 150°C | 
| Embalagem / Caixa: | DO-219AA | 
| Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 1000 V | 
| Corrente - média rectificada (Io): | 1A | 
| Velocidade: | Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io) |