Detalhes do produto
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Descrição: DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | Estatuto do produto: | Atividade | Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 100 nA @ 100 V | Tipo de Montagem: | Através do Furo | Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.25 V @ 200 mA | Pacote: | Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC) | Série: | - | Capacidade @ Vr, F: | 5pF @ 0V, 1MHz | Pacote de dispositivos do fornecedor: | DO-35 | Tempo de recuperação inverso (trr): | 50 ns | Mfr: | ONSEMI | Tecnologia: | Padrão | Temperatura de funcionamento - Junção: | 175°C (máximo) | Embalagem / Caixa: | DO-204AH, DO-35, Axial | Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 120 V | Corrente - média rectificada (Io): | 200 mA | Velocidade: | Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade | Número do produto de base: | BAV19 | 
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | 
| Estatuto do produto: | Atividade | 
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 100 nA @ 100 V | 
| Tipo de Montagem: | Através do Furo | 
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.25 V @ 200 mA | 
| Pacote: | Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC) | 
| Série: | - | 
| Capacidade @ Vr, F: | 5pF @ 0V, 1MHz | 
| Pacote de dispositivos do fornecedor: | DO-35 | 
| Tempo de recuperação inverso (trr): | 50 ns | 
| Mfr: | ONSEMI | 
| Tecnologia: | Padrão | 
| Temperatura de funcionamento - Junção: | 175°C (máximo) | 
| Embalagem / Caixa: | DO-204AH, DO-35, Axial | 
| Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 120 V | 
| Corrente - média rectificada (Io): | 200 mA | 
| Velocidade: | Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade | 
| Número do produto de base: | BAV19 |