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Descrição: DIODO GEN PURP 800V 1A T-1

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
8pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
T-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Diodos incorporados
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
T1, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
D6G
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 1 A
Pacote:
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Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
8pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Tempo de recuperação inverso (trr):
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Mfr:
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Tecnologia:
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
D6G
D6G-T
Diodo 800 V 1A através do buraco T-1

Tags:

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