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IDD04SG60CXTMA2

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Descrição: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.3 V @ 4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
80pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO252-3
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDD04SG60
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.3 V @ 4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
80pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO252-3
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDD04SG60
IDD04SG60CXTMA2
Diodo de 600 V 4A montado na superfície PG-TO252-3