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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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BAS116L2B-TP

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Descrição: Diodo GP 85V 215MA DFN1006-2L

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
nA 5 @ 75 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,25 V @ 150 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DFN1006-2L
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
0402 (métrica 1006)
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
85 V
Corrente - média rectificada (Io):
215 mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BAS116
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
nA 5 @ 75 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,25 V @ 150 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DFN1006-2L
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
0402 (métrica 1006)
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
85 V
Corrente - média rectificada (Io):
215 mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BAS116
BAS116L2B-TP
Diodo 85 V 215mA Montador de superfície DFN1006-2L