Detalhes do produto
Termos do pagamento & do transporte
Descrição: DIODE GEN PURP 1,2KV 12A DO4
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
12 mA @ 1200 V |
Tipo de Montagem: |
Montar de cavalo |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
1,26 V @ 38 A |
Pacote: |
Saco |
Série: |
- |
Capacidade @ Vr, F: |
- |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
DO-4 |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc. |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-65°C ~ 175°C |
Embalagem / Caixa: |
DO-203AA, DO-4, Stud |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
1200 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
12A |
Velocidade: |
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
12 mA @ 1200 V |
Tipo de Montagem: |
Montar de cavalo |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
1,26 V @ 38 A |
Pacote: |
Saco |
Série: |
- |
Capacidade @ Vr, F: |
- |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
DO-4 |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc. |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-65°C ~ 175°C |
Embalagem / Caixa: |
DO-203AA, DO-4, Stud |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
1200 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
12A |
Velocidade: |
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io) |