Detalhes do produto
Termos do pagamento & do transporte
Descrição: DIODE GEN PURP 35V 100MA SOT23
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
100 nA @ 20 V |
Tipo de Montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
1.2 V @ 100 mA |
Pacote: |
Saco |
Série: |
- |
Capacidade @ Vr, F: |
0.8pF @ 20V, 1MHz |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
SOT-23 |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc. |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
125°C |
Embalagem / Caixa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
35 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
100 mA |
Velocidade: |
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
100 nA @ 20 V |
Tipo de Montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
1.2 V @ 100 mA |
Pacote: |
Saco |
Série: |
- |
Capacidade @ Vr, F: |
0.8pF @ 20V, 1MHz |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
SOT-23 |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc. |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
125°C |
Embalagem / Caixa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
35 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
100 mA |
Velocidade: |
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade |