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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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NTE627

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Descrição: R-SI DUAL 200V 12A 150NS

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
8A
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 6 A
Pacote:
Saco
Série:
-
Configuração do diodo:
2 Independente
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 200 V
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
8A
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 6 A
Pacote:
Saco
Série:
-
Configuração do diodo:
2 Independente
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 200 V
NTE627
Diodo 2 independente 200 V 8A através do buraco TO-220-3