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1N3070TR
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 175 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
500 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N3070
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 175 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
500 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N3070
1N3070TR
Diodo 200 V 500 mA através do buraco DO-35

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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